學生姓名:

專題名稱:

晶片表面覆蓋之光阻厚度的分析與研究

指導教授:

羅琪

學生級別:

90

[摘要]

在半導體製造前段的微影(Lithography)製程部分，需用旋轉塗佈機來將光阻覆蓋在高速旋轉的晶片表面，為了使光上圖案轉移有更好的精確度與可靠度，所以其中所覆蓋之光阻厚度必須固定在目標值。本研究的主要目的是要找出A光阻量(Volume of resist applied)、B光阻的批間變異(Resist batch variation)、C旋轉時間(Time of spin)、D最終旋轉速度(Final spin speed)、E加速度(Acceleration rate)及F排氣壓力(Exhaust pressure)這六個因素那些因素會影響到晶片表面覆蓋之光阻厚度的平均數、變異數及全距，並了解這些因素是否有交互影響存在，另外要找出如何設定這些因素的值，才會使得光阻厚度達到目標值，而且光阻厚度的變異控制在最小。由主效果圖、交互影響圖、ANOVA Table及迴歸分析的結果，可以得到下面結論:影響光阻厚度平均數的因子有最終旋轉速度(D)及加速度(E)，影響光阻厚度變異數的因子有加速度(E)、排氣壓力(F)及交互影響EF、ABF，另外影響光阻厚度全距的因子有排氣壓力(F)及交互影響EF、ABF、BEF。最後我們根據反應曲面圖(response surface plot)及等高線圖(contour plot)得到當光阻量設為5cc、光阻的批間差異設為批次2、最終旋轉速度設為6650或7350 rpm、加速度設為20、排氣壓力設為閉蓋時，光阻厚度平均值最接近目標值，光阻厚度的變異數及全距最小。